天富平台网址【招商QQ2404-8305】(一)领导发光原理

发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如砷化镓(砷化镓),差距(磷化镓),GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般pn结的i n特性,即正向导通,反向截止,击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。天富注册登录地址

假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发的光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度如有关,即λ≈1240 /如(mm)式中如的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380 nm紫光~ 780 nm红光),半导体材料的如应在3.26 ~ 1.63 ev之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。天富官网登录

(二)领导的特性

领导的极限参数

(1)允许功耗点:允许加于领导的两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,发热,损坏。

(2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。天富平台网址

(3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。

(4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。